NVMe-SSDs mit 96-Layer-3D-Flash-Speicher von Toshiba

Toshiba gibt einen Einblick in die künftige Generation von NVMe-SSDs: Die neue »XG6«-Serie verspricht natürlich mehr Performance für PCs und Server, aber auch eine bessere Energieeffizienz. Das Besondere daran ist aber, dass erstmals die BiCS-FLASH-Technologie mit 96 Layern zum Einsatz kommen. Die Serienproduktion startet allerdings erst 2019.

Toshibas NVMe-SSDs der XG6-Serie basieren auf 96-Layer BiCS FLASH 3D-Flash-Memory.Mit der XG6-Serie stellt Toshiba Memory Europe seine ersten NVMe-SSDs vor, die auf 96-Layer BiCS 3D-Flash-Memory basieren. Die Technologie 3-Bit-per-Cell (Triple-Level Cell, TLC) BiCS-FLASH soll die Performance, Speicherdichte und Effizienz verbessern. Der neue 96-Layer-Stacking-Prozess ermöglicht in Kombination mit einer Circuit- und Fertigungstechnik eine Erhöhung der Speicherkapazität pro Unit-Chip um annähernd 40 Prozent im Vergleich zum 64-Layer-3D-Flash-Speicher. Als Einsatzbereiche sieht der Hersteller Client-PCs, performante mobile, eingebettete oder Gaming-Anwendungen sowie Boot-Laufwerke in Servern, Caching- und Logging-Prozesse oder Standard-Storage-Systeme.

Die XG6-Serie im M.2-2280-Formfaktor, einseitig bestückt, unterstützt die PCIe-Generation 3 mit vier Lanes und NVMe 3 (Revision 1.3a). Geplant sind Kapazitäten von 256, 512 und 1.024 GByte. Herstellerangaben zufolge soll der Energieverbrauch bei 4,7 Watt oder weniger liegen. Die SSDs sollen bis zu 3.180 MByte/s sequenzieller Lese- und bis zu 3.000 MByte/s sequenzieller Schreibgeschwindigkeit erreichen sowie eine Random-Lese-/Schreibgeschwindigkeit von bis zu 355.000 IOPS bzw. 365.000 IOPS.

»Die Einführung der XG6-SSDs ebnet den Weg für die Migration auf Client-, Rechenzentrums- und Enterprise-SSDs mit 96-Layer-Technologie«, meint Paul Rowan, Vice President SSD Business Unit bei Toshiba. »Die neue NVMe-Serie mit einer Speicherkapazität von bis zu einem TByte und einem optimierten Controller-Design für höhere Performance und Energieeffizienz umfasst vielseitige Laufwerke, die ideal geeignet sind für Client-, eingebettete und Rechenzentrumsanwendungen.« Rowan sieht Toshiba mit der 96-Layer-BiCS-FLASH-Technologie an vorderster Front der 3D-Flash-Speicher-Entwicklung. Entwickelt wurde der neue Flash-Chip in Zusammenarbeit mit Joint-Venture-Partner Western Digital.

»Die Industrie arbeitet weiter daran, mit der 3D-Flash-Technologie höhere Speicherkapazitäten zu erreichen, mit einer jährlichen Steigerung von 75 Prozent bis 2022 bei 3D-NAND-Petabyte-Flashspeichern«, betont Greg Wong, Gründer und Principal Analyst von Forward Insights. »Die Einführung der 96-Layer-Technologie ist ein wichtiger Meilenstein für Flash und den steigenden Bedarf an schnellerem und dichterem Storage.«

Die neuen SSDs werden aktuell ausgewählten OEM-Kunden zur Verfügung gestellt und auf dem Flash Memory Summit in Santa Clara, Kalifornien, vom 7. bis 9. August (Halle A/Stand 307) vorgestellt. Mit einer Serienproduktion ist nicht vor 2019 zu rechnen.