Infineon weitet Patentverletzungsklage gegen Innoscience aus

Die Infineon Technologies AG hat am 23. Juli 2024 die vor dem Bezirksgericht im Northern District of California anhängige Klage gegen Innoscience (Zhuhai) Technology Company, Ltd. und Innoscience America, Inc. und verbundene Unternehmen (im Folgenden: Innoscience) erweitert.

Die Erweiterung beruht auf der Verletzung von drei weiteren Patenten, die sich auf die Galliumnitrid-Technologie (GaN) von Infineon beziehen. Darüber hinaus hat Infineon heute eine Klage bei der U.S. International Trade Commission (USITC) eingereicht, die sich auf die gleichen vier Patente bezieht, die Gegenstand der Klage sind.

Infineon macht unter anderem einen Unterlassungsanspruch wegen der Verletzung dieser US-Patente geltend, die sich auf die Galliumnitrid-Technologie (GaN) von Infineon beziehen. Die Patentansprüche beziehen sich auf wesentliche Eigenschaften von GaN-Leistungshalbleitern und umfassen Innovationen, die die Zuverlässigkeit und die Leistungsfähigkeit der von Infineon entwickelten GaN-Bauelemente gewährleisten.

Bereits am 14. März 2024 reichte Infineon eine Patentverletzungsklage gegen Innoscience beim Bezirksgericht im Northern District of California in den USA ein. Am 4. Juni 2024 erhob Infineon Klage wegen Patentverletzung gegen Innoscience beim Landgericht München. Weitere Klagen wurden gegen Distributoren von Innoscience in Deutschland eingereicht. Außerdem beantragte Infineon erfolgreich eine einstweilige Verfügung, die das Landgericht München am 12. Juni 2024 erließ. Mitdieser gerichtlichen Verfügung wurde Innoscience verpflichtet, alle rechtsverletzenden Produkte von ihrem Stand auf der internationalen Leistungselektronikmesse PCIM Europe zu entfernen.

Das Portfolio von Infineon an Silizium-, Siliziumkarbid- und Galliumnitrid-Leistungstransistoren sowie komplementären Treibern und Controllern wurde im Oktober 2023 durch die Übernahme von GaN Systems Inc. gestärkt. Mit dieser Akquisition hat Infineon sein GaN-Angebot erweitert und seine Position bei Leistungshalbleitern weiter ausgebaut.

(pd/Infineon)